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| Artikel-Nr.:
822EL-8427797 Herst.-Nr.:
MBR2H200SFT1G EAN/GTIN:
5059042087703 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOD-123
Dauer-Durchlassstrom max. = 2A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 940mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 30A
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV-, SBR- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. On Semiconductor Schottky-Dioden. Dieser on Semiconductor Schottky-Leistungsgleichrichter verwendet das Schottky-Barriereprinzip mit einem Sperrmetall, um den besten Durchlassspannungs-Rückstromwechsel zu erzielen. Geeignet für Niederspannungs-, Hochfrequenzgleichrichtung sowie eine Freilauf- und Polaritätsschutzdiode in einer Reihe von SMD-Anwendungen, wo immer eine kompaktere Größe und ein größeres Gewicht entscheidend sind. bleifrei entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage Belastungsschutz Epoxidharz-Spritzgussgehäuse Leichtes 11,7-mg-Gehäuse Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOD-123 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 2A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 940mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 30A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, on semiconductor diode, 8427797, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, MBR2H200SFT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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