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| Artikel-Nr.: 822EL-9128510 Herst.-Nr.: BPW 34 FAS-Z EAN/GTIN: 5059041020183 |
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| Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 880nm Gehäusetyp = DIP Montage Typ = SMD Anzahl der Pins = 2 Diodenmaterial = Si Wellenlänge min. = 730nm Wellenlänge max. = 1100nm Länge = 4.5mm Breite = 4mm Höhe über Panel = 1.2mm Spitzenphotosensibilität = 0.65A/W Polarität = Umgekehrt
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw. Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 880nm | Gehäusetyp: | DIP | Montage Typ: | SMD | Anzahl der Pins: | 2 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 730nm | Wellenlänge max.: | 1100nm | Länge: | 4.5mm | Breite: | 4mm | Höhe über Panel: | 1.2mm | Spitzenphotosensibilität: | 0.65A/W | Polarität: | Umgekehrt |
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| Weitere Suchbegriffe: foto diode, 9128510, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, ams OSRAM, BPW34FASZ, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes |
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