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STMicroelectronics Smart Power Modul / 20 A, 600 V 81 W, 26-Pin SDIP2B N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-9173380
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGIB15CH60TS-L
EAN/GTIN:
     5059042310368
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Verlustleistung max. = 81 W
Gehäusegröße = SDIP2B
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 26
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 38 x 24 x 3.5mm
Betriebstemperatur max. = +125 °C

Intelligente Leistungsmodule SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics hat sein Programm an intelligenten IGBT-Leistungsmodulen durch die Einführung der zweiten Serie von intelligenten SLLIMM-Leistungsmodulen erweitert. Dank des optimalen Kompromisses zwischen Leitungs- und Schaltenergie, in Kombination mit einer außergewöhnlichen Robustheit und EMI-Störfestigkeit erhöhen Sie die Effizienz von Motorantrieben bis 20 kHz. Sie sind in vollständig geformten oder DBC-basierten Gehäusen erhältlich und liefern hohe Kollektorströme. Die intelligenten vergossenen Module mit geringem Verlust (SLLIMM™) erhöhen die Effizienz von Motorantrieben in Haushaltsgeräten. Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine direkte Verbindung zwischen einem Niederspannungs-Mikrocontroller und einem netzbetrieben Elektromotor her. 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke einschließlich Steuerungs-ICs für die Gate-Ansteuerung und Freilaufdioden Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang Ausgelegt für 600 V, von 8A bis 35 A dc bei 25 °C Niedrige VCE(sat) Niedrigster Rth-Wert auf dem Markt für Versionen mit DBC-Gehäuse Isolationsspannung von 1500 V eff/min. Optimierte Treiber und Silizium für geringe elektromagnetische Störungen Separate Ausgänge mit offenem Emitter CMOS-/TTL-Eingänge mit 3,3 V, 5 V, 15 V Unterspannungsschutz Interne Bootstrap-Diode Verriegelungsfunktion Kluge Abschaltungsfunktion Komparator für Fehlerschutz gegen Übertemperatur und Überstrom
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
20 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Verlustleistung max.:
81 W
Gehäusegröße:
SDIP2B
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
26
Transistor-Konfiguration:
3-phasig
Abmessungen:
38 x 24 x 3.5mm
Betriebstemperatur max.:
+125 °C
Weitere Suchbegriffe: 9173380, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, STMicroelectronics, STGIB15CH60TSL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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