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| Artikel-Nr.:
822EL-9211167 Herst.-Nr.:
DMT6008LFG-7 EAN/GTIN:
5059043321479 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerDI3333-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 41 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerDI3333-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 41 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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