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Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; PAusg: 630mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; PAusg: 630mW
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; PAusg: 630mW
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2SK3475
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     2SK3475(TE12L,F)
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: SOT89
Frequenz: 520MHz
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 1A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verstärkung: 14,9dB
Ausgangsleistung: 630mW
Verlustleistung: 3W
Wirkungsgrad: 45%
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Elektrische Montage: SMT
Transistor-Art: RF
Kanal-Art: schwach
Gate-Source Spannung: ±10V
Die Konditionen im Überblick1
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