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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT17F100B
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT17F100B
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 780mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 625W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 150nC
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 70A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.