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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT20M22LVRG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT20M22LVRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 435nC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 400A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.