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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT22F120B2
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT22F120B2
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247MAX
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 15A
Widerstand im Leitungszustand: 0,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,04kW
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 260nC
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 90A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.