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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT4020BVFRG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT4020BVFRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 0,12µC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 92A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.