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Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT58M50JU2
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT58M50JU2
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: ISOTOP
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 43A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Verlustleistung: 543W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: POWER MOS 8®
Gate-Source Spannung: ±30V
Topologie: boost chopper
Drainstrom im Impuls: 270A
Die Konditionen im Überblick1
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