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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W; TO264
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT6010LLLG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT6010LLLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 54A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 690W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 150nC
Technologie: POWER MOS 7®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 216A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.