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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APTGT150A120TG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APTGT150A120TG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SP4
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 150A
Kollektorstrom im Impuls: 350A
Verlustleistung: 690W
Elektrische Montage: Löten;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Field Stop
Topologie: NTC Thermistor;IGBT Halbbrücke
Die Konditionen im Überblick1
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