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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-B2M065120H
Hersteller:
     BASiC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     B2M065120H
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 33A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 60nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -4...18V
Drainstrom im Impuls: 85A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.