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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-BS107PSTZ
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     BS107PSTZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: THT
Gehäuse: TO92
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 0,12A
Widerstand im Leitungszustand: 23Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Ammo Pack
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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