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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-BXS049N08P
Hersteller:
     Bridgelux
Herst.-Nr.:
     BXS049N08P
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: BRIDGELUX
Montage: THT
Gehäuse: TO220
Drain-Source Spannung: 85V
Drainstrom: 79A
Widerstand im Leitungszustand: 4,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 189W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 72nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 560A
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