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Diode: Zener; 0,5W; 4,7V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 500nA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Diode: Zener; 0,5W; 4,7V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 500nA
Diode: Zener; 0,5W; 4,7V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 500nA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BZX55B4V7-A0G
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BZX55B4V7 A0G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IR Emitter
IR-Led
Infrarot-Diode
Z-Diode
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: DO35
Toleranz: ±2%
Struktur des Halbleiters: einzelne Diode
Z-Spannung: 4,7V
Zenerstrom: 5mA
Leck strom: 0,5µA
Verlustleistung: 0,5W
Dioden-Typ: Zener
Die Konditionen im Überblick1
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