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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMG10N60SCT
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG10N60SCT
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7,9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 71W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 35nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 15A
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.