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Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FMM22-06PF
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     FMM22-06PF
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Struktur des Halbleiters: doppelte serielle
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 130W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 58nC
Technologie: PolarHV™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 66A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.