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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,08A; Idm: 6,8A; 50W; IPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQU2N90TU-AM002
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQU2N90TU-AM002
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: IPAK
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 1,08A
Widerstand im Leitungszustand: 7,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 50W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 15nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 6,8A
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