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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPP60R080P7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPP60R080P7
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: PG-TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 129W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.