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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFQ50N60X
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFQ50N60X
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Bereitschaftszeit: 195ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 50A
Widerstand im Leitungszustand: 73mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 660W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 116nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.