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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTH2N300P3HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH2N300P3HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247HV
Bereitschaftszeit: 400ns
Drain-Source Spannung: 3kV
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 21Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: standard power mosfet
Gate-Ladung: 73nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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