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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTH52N65X
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH52N65X
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Bereitschaftszeit: 435ns
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 52A
Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 660W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 113nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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