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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-LGE3M25120Q
Hersteller:
     LUGUANG ELECTRONIC
Herst.-Nr.:
     LGE3M25120Q
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 370W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 54nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...20V
Drainstrom im Impuls: 200A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.