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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MSC017SMA120B4
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     MSC017SMA120B4
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 80A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 455W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 249nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 280A
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