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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2399
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2399
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 12A
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