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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; Idm: 56A; 125W; TO220


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; Idm: 56A; 125W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; Idm: 56A; 125W; TO220
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2900
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2900
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220
Drain-Source Spannung: 250V
Drainstrom: 8,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 56A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.