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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 8A; 125W; TO3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2906
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2906
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 8A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±14V
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