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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 124A; 200W; TO220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 124A; 200W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 124A; 200W; TO220
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2915
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2915
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 21A
Widerstand im Leitungszustand: 82mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 124A
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