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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2916
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2916
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 35A
Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 200A
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