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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; Idm: 3A; 20W; TO251


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; Idm: 3A; 20W; TO251
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; Idm: 3A; 20W; TO251
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2948
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2948
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO251
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 1A
Widerstand im Leitungszustand: 4,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 20W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 3A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.