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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 27,8A; Idm: 180A; 278W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2968
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2968
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 27,8A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 278W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 180A
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