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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2993
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2993
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 56A
Die Konditionen im Überblick1
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