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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-P10F60HP2-5600
Hersteller:
     SHINDENGEN
Herst.-Nr.:
     P10F60HP2-5600
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: SHINDENGEN
Montage: THT
Gehäuse: FTO-220AG (SC91)
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 85W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Gate-Ladung: 23nC
Technologie: Hi-PotMOS2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 40A
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