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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 175W

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 175W

Artikel-Nr.:
8WUGW-SCTWA20N120

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
SCTWA20N120

EAN/GTIN:
k.A.

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: HIP247™
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 175W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 45nC
Technologie: SiC
Drainstrom im Impuls: 45A

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