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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8,3A; 2,9W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8,3A; 2,9W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8,3A; 2,9W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4401BDY-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4401BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
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Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -40V
Drainstrom: -8,3A
Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 55nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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