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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,2A; Idm: -20A; 25W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHFR9014-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHFR9014-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 12nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -20A
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