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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 60A


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Produktinformationen
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 60A
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 60A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SK50GD12T4T
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SK 50 GD 12T4 T 24914940
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: SEMITOP4
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Frequenzwandler;Photovoltaik
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: Thermistor;3-phasen Brücke IGBT
Die Konditionen im Überblick1
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