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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SKM200GAL17E4
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SKM200GAL17E4 22895110
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: SEMITRANS3
Rückspannung max.: 1,7kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 248A
Kollektorstrom im Impuls: 1170A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Frequenzwandler;Photovoltaik
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: boost chopper
Die Konditionen im Überblick1
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