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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STF26N60DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF26N60DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,195Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 30W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 24nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 60A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.