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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1,2kV; 7,6A; Idm: 48A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP12N120K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP12N120K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,69Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 44,2nC
Technologie: MDmesh™ K5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 48A
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