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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP26N60M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP26N60M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 0,165Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 169W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 34nC
Technologie: MDmesh™ M2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 80A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.