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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17,7A; Idm: 112A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP34N65M5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP34N65M5
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 17,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 62,5nC
Technologie: MDmesh™ M5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 112A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.