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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP35N65DM2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP35N65DM2
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 56,3nC
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 90A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.