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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW50N65DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW50N65DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 21A
Widerstand im Leitungszustand: 91mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 52,5nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 120A
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