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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 35A; Idm: 172A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW68N65DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW68N65DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 35A
Widerstand im Leitungszustand: 59mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 431W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 80nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 172A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.