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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-TJ60S06M3L
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TJ60S06M3L(T6L1,NQ
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -60A
Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 100W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 156nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -20...10V
Drainstrom im Impuls: -120A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.