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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 32,1W; TO220FP


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 32,1W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 32,1W; TO220FP
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM60NB260CI-C0G
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM60NB260CI C0G
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 32,1W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 30nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.