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IGBT, SMD, 600 V, 5 A, DPAK, BIDD05N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDD05N60T
ab € 0,50761*
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IGBT, THT, 600 V, 20 A, TO-247, BIDW20N60T (2 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...
Bourns
BIDW20N60T
ab € 1.158,45*
pro 600 Stück
 
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IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 1,79*
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IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247N, BIDNW30N60H3 (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...
Bourns
BIDNW30N60H3
ab € 1,81*
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IGBT, THT, 650 V, 50 A, TO-247, BIDW50N65T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW50N65T
ab € 2,32*
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Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W TO-247-3 Tube IGW40T120FKSA1 (4 Angebote) 
IGBTs, IGW40T120, Infineon Technologies Der IGW40T120 ist ein Transistor, der aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept sowohl die statische als auch die dynamische Leistung d...
Infineon
IGW40T120FKSA1
ab € 4,13*
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.