IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Außerdem ergibt diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th). Features * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat) * Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik * Optimiert für Konduktion * RoHS-konform Anwendungen * Schaltnetzteile (SMPS) * Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS) * Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)